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winbond华邦 DRAM 技术路线图

发表时间:2023/06/06 阅读量:239 来源: 深圳市驰远电子有限公司

        相对于市场上三大头部内存厂商而言,winbond华邦主要专注于利基型内存,产品容量一般最大为 8GB,其特点是不需要非常先进的制程,并以 KGD 为主,便于与 SoC 进行合封。


        在 KGD 1.0 (SiP) 中,DRAM Die 厚度约为 100-150 微米,裸片至裸片 (Die to Die) 的 I/O 路径为 1000 微米,目前这种性能的 KGD 信号完整性/电源完整性 (SI/PI) 是主流的,也是够用的。华邦方面曾经对 LPDDR4 的电源效率进行过估算,其小于 35pJ/Byte,带宽方面 X32 LPDDR4x 每 I/O 为17GB/s。


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        当进化到 KGD 2.0 (3D堆叠) 后,得益于 TSV 的深宽比能力,DRAM Die 厚度可以达到 50 微米的深度,  未来,通过 Hybrid Bonding 工艺还可以实现 1 微米的距离。同时,信号完整性/电源完整性 (SI/PI) 性能更好,功耗更低,可以达到甚至低于 LPDDR4 的四分之一 (为8pJ/Byte),而带宽可以实现 16-256GB/s。


        目前,华邦拥有两座 12 寸晶圆厂,一座是位于台中的 Fab 6 工厂,另一座是在高雄新建的第二座工厂,其产能为 1 万片/月左右,后续将逐渐提升至 1.4 万片 - 2 万片/月。


        从制程工艺角度来看,高雄工厂投产后,华邦会将一些先进制程的 DRAM 产能转移至高雄厂,台中厂的中小容量 DRAM 制程会维持在 65nm、46nm、38nm 和 25nm,且无意再向更小制程演进,而是专注于成熟制程产品。高雄厂已经量产的包括 25nm 2GB 和 4GB 两种产品,20nm 产品预计在今年年中进入量产阶段,并继续向 19nm 制程演进。


         华邦电子大陆区产品营销处处长朱迪再次强调了华邦对于 DDR3 的生产和支持。尽管他认为像三星这样的大厂逐渐舍弃 DDR3 和中小容量 DDR4 是一个大概率的事件,但从实际使用情况来看, 4Gb DDR3 产品将有望继续被广泛采用至少到 2027-2028 年,尤其在工业和汽车领域需要长期支持。而且,相同容量相同速度下,DDR3 较 DDR4 更具成本效益(相同制程下,与 DDR3 相比,Die 尺寸 DDR4 增加 10%,LPDDR4 增加18%),DDR4 将会持续向更高容量发展,并随着 PC 和服务器市场的需求迁移至 DDR5。


        根据规划,DDR3 仍将保持 1Gb、2Gb、4Gb 和 8Gb 四种容量,并计划在 2025 年演进至 16nm;DDR4 方面,当 20nm 制程就绪之后,高雄厂会在 2024 年初量产 DDR4 DRAM 芯片。


       “利基型存储市场大约只占整个存储市场的 10%,它的供需相对而言是比较平衡和稳定的。在当前终端客户、代理商、以及原厂库存都比较低的情况下,确实有可能会出现缺货的情况,但对具体时间节点做出判断为时尚早,需要做进一步的观察。”朱迪说。


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