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三星

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三星

优势渠道三星存储芯片，三星在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位，而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力，承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。

  • 产品名称 品牌 参数 封装 备注
  • KMFN60012B-B214 三星 8 GB eMMC 5.1 LPDDR3 1866 Mbps 221FBGA /
  • K4G80325FC-HC25000 三星 8 Gb 256M x 32 8.0 Gbps 16K / 32 ms 170FBGA /
  • K4F6E3S4HM-MGCJT00 三星 16 Gb 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V 200FBGA -25 ~ 85 °C
  • K4E6E304EC-EGCG 三星 16 Gb 2133 Mbps 1.8 / 1.2 / 1.2 V 178FBGA -25 ~ 85 °C
  • K4AAG165WA-BCTDT00 三星 16 Gb 1G x 16 2666 Mbps 1.2 V 96FBGA 0 ~ 85 °C
  • K4AAG165WA-BCWE000 三星 16 Gb 1G x 16 3200 Mbps 1.2 V 96FBGA 0 ~ 85 °C
  • K4A8G085WC-BCTD 三星 8Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V 78FBGA 0 ~ 85 °C
  • K4A8G085WC-BCWE 三星 8 Gb 1G x 8 3200 Mbps 1.2 V 78FBGA 0 ~ 85 °C
  • K4A8G165WB-BCRC 三星 8Gb 512M x 16 2400 Mbps 1.2 V 96FBGA 0 ~ 85 °C
  • K4A8G165WC-BCWE 三星 8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V 96FBGA 0 ~ 85 °C
  • K4B2G0846F-BYMA 三星 2Gb 256M x 8 1866 Mbps 1.35 V 78FBGA 0 ~ 85 °C
  • K4B4G0846E-BYMA 三星 4Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 78FBGA 0 ~ 85 °C
  • K4B4G1646E-BCNB000 三星 4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.5 V 96BGA 0 ~ 85 °C
  • K4B4G1646E-BYMA 三星 4Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 96BGA 0 ~ 85 °C
  • K4B4G1646D-BYMA 三星 4Gb 256M x 16 1866 Mbps 1.35 V 96BGA 0 ~ 85 °C
  • K4B2G1646F-BCNB 三星 2Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.5 V 96BGA 0 ~ 85 °C
  • K4B2G1646F-BYMA000 三星 2Gb 128M x 16 1866 Mbps 1.35 V 96FBGA 0 ~ 85 °C
  • K4A4G165WF-BCTD000 三星 4Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2V 96FBGA 0 ~ 85 °C
  • KLMBG2JETD-B041T09 三星 eMMC 5.1 32GB 1.8 / 3.3 V HS400 11.5 x 13 x 0.8 mm BGA -25 ~ 85 °C
  • KLMAG1JETD-B041006 三星 eMMC 5.1 16GB 1.8 / 3.3 V HS400 11.5 x 13 x 0.8 mm BGA -25 ~ 85 °C
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