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三星

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三星

优势渠道三星存储芯片，三星在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位，而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力，承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。

  • 产品名称 品牌 参数 封装 备注
  • KLM8G1GETF-B041006 三星 eMMC 5.1 8GB 1.8/3.3V HS400 11.5 x 13 x 0.8 mm BGA -25 ~ 85 °C
  • KLM4G1FETE-B041001 三星 eMMC 5.1 4GB 1.8 / 3.3 V HS400 11 x 10 x 0.8 mm BGA -25 ~ 85 °C
  • NT5CC64M16GP-DI 三星 1Gb 1.35V 1600Mbps BGA 0C~95C
  • K4UBE3D4AA-MGCL 三星 32 Gb 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V 200FBGA -25 ~ 85 °C
  • K4U6E3S4AA-MGCL 三星 16 Gb 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V 200FBGA -25 ~ 85 °C
  • K4F6E304HB-MGCJ 三星 16 Gb 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V 200FBGA -25 ~ 85 °C
  • KLMBG2JETD-B041 三星 eMMC 5.1 32GB 1.8 / 3.3 V HS400 11.5 x 13 x 0.8 mm BGA153 -25 ~ 85 °C
  • KLMAG1JETD-B041 三星 eMMC 5.1 16GB 1.8 / 3.3 V HS400 11.5 x 13 x 0.8 mm BGA153 -25 ~ 85 °C
  • KLM8G1GETF-B041 三星 eMMC 5.1 8GB 1.8/3.3V HS400 11.5 x 13 x 0.8 mm BGA153 -25 ~ 85 °C
  • KLM4G1FETE-B041 三星 eMMC 5.1 4GB 1.8 / 3.3 V HS400 11 x 10 x 0.8 mm / -25 ~ 85 °C
  • K4A8G165WC-BCTD 三星 四代双倍数据率同步动态随机存储器 8Gb 2666 Mbps 1.2 V 96TBGA 0 ~ 85 °C
  • K4A4G165WF-BCTD 三星 DDR4-2666 4Gb 96TBGA 0 ~ 85 °C
  • K4B4G1646E-BYMA 三星 4Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V BGA96 0 ~ 85 °C
  • K4B4G1646E-BCNB 三星 4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.5 V BGA96 0 ~ 85 °C
  • K4B2G1646F-BCNB 三星 FLASH闪存存储器 BGA-96 /
  • K4B2G1646F-BCNB 三星 DDR3-2133 2Gb 96FBGA /
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